Комплексная проводимость 2D электронного кристалла над жидким гелием в области динамических переходов

Автор(и)

  • В.Е. Сивоконь Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • К.А. Наседкин Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.3530189

Ключові слова:

сверхтекучий жидкий гелий, 2D электронный кристалл, динамический фазовый переход.

Анотація

Исследована комплексная проводимость электронных кристаллов с поверхностной плотностью (3,2 ·108–12,6 ·108) см–2 в условиях динамического перехода. Измерения проведены при температурах 70–90 мК, что существенно ниже температур плавления в термодинамически равновесных условиях. Переход наблюдается при увеличении ведущего электрического поля в плоскости электронного слоя и сопровождается скачками обеих компонент обратной проводимости слоя при достижении критического значения поля. Определена зависимость критического поля от поверхностной плотности электронного слоя.

Downloads

Опубліковано

2010-10-21

Як цитувати

(1)
В.Е. Сивоконь and К.А. Наседкин, Комплексная проводимость 2D электронного кристалла над жидким гелием в области динамических переходов, Low Temp. Phys. 36, (2010) [Fiz. Nizk. Temp. 36, 1267-1275, (2010)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.3530189.

Номер

Том 36 № 12 (2010)

Розділ

Квантові рідини та квантові кристали

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 > >>