Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe

Автор(и)

  • С.Н. Мустафаева Институт физики НАН Азербайджана, пр. Г. Джавида, 33, г. Баку, AZ1143, Азербайджан
  • М.М. Асадов Институт химических проблем НАН Азербайджана, пр. Г . Джавида, 29, г. Баку, AZ1143, Азербайджан
  • А.А. Исмайлов Институт физики НАН Азербайджана, пр. Г. Джавида, 33, г. Баку, AZ1143, Азербайджан

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.3388822

Ключові слова:

монокристалл, перенос заряда, локализация, глубокие ловушки, плотность локализованных состояний.

Анотація

Установлено, что при температурах Т < 200 К в нелегированных и легированных оловом (0,2 и 0,4 ат.% Sn) монокристаллах InSe поперек их естественных слоев в постоянном электрическом поле существует прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. Оценены плотность состояний вблизи уровня Ферми (NF = 5,36·1018 – 1,72·1019 эВ–1·см–3), их энергетический разброс (ΔE = 0,028–0,040 эВ), радиус локализации (а = 58 Ǻ) и средние расстояния прыжков (Rav = 99,5–130 Ǻ) в интервале температур 100–200 К.

Downloads

Опубліковано

2010-03-01

Як цитувати

(1)
С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, and А.А. Исмайлов, Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe, Low Temp. Phys. 36, (2010) [Fiz. Nizk. Temp. 36, 394-397, (2010)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.3388822.

Номер

Том 36 № 4 (2010)

Розділ

Низькотемпературний магнетизм

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.