Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si

Автор(и)

  • В.И. Хижный Институт радиофизики и электроники им. А.Я. Усикова НАН Украины ул. Акад. Проскуры, 12, г. Харьков, 61085, Украина

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.2832357

Ключові слова:

генерация звука, гетероструктура SiGe/Si.

Анотація

Методом высокочастотной гибридной акустической спектроскопии на частоте ~ 225 МГц изучена температурная зависимость эффективности линейной генерации звуковых волн электрическими полями в модуляционно-легированных гетероструктурах Si1-xGex /Si. Показано, что сигнал конверсии для области температур 4,2-150 К связан с наличием областей пространственного заряда в структуре и кулоновским механизмом возбуждения продольных акустических волн электрическим полем, нормальным к поверхности планарной структуры. Изучено влияние содержания атомов Ge x в когерентно-напряженных слоях SiGe на амплитуду сигнала конверсии. Обнаружена высокая чувствительной величины эффекта к изменению индекса x в интервале 0,1 < x < 0,13. Обсуждается влияние возможной пьезоактивности слоев SiGe, а также зарядов на глубоких ловушках вблизи границ раздела Si/SiGe/Si на величину сигнала конверсии.

Опубліковано

2007-11-23

Як цитувати

(1)
В.И. Хижный, Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si, Low Temp. Phys. 34, (2007) [Fiz. Nizk. Temp. 34, 79-85, (2007)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.2832357.

Номер

Розділ

Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.