Аномалия магнитной восприимчивости в виде ступеньки в кристаллах с вырожденными электронными энергетическими зонами

Анотація

Показано, что зависимость магнитной восприимчивости электронов в кристалле от их химического потенциала может иметь вид резкой ступеньки. Эта необычная аномалия магнитной восприимчивости возможна только при определенном типе вырождения двух электронных энергетических зон в точке зоны Бриллюэна кристалла, и если химический потенциал находится в окрестности энергии вырождения. В частности, такое вырождение зон имеет место в кристаллах со структурой А-15 (например, в V₃3Si). Полученные результаты могут быть использованы для объяснения сильных температурных зависимостей магнитной восприимчивости, наблюдаемых в сверхпроводящих материалах с этой структурой в нормальном состоянии.