Impurity induced Dirac point smearing in graphene

Автор(и)

  • Yuriy V. Skrypnyk Kurdyumov Institute of Metal Physics, 36 Vernadsky Ave., Kyiv 03680, Ukraine
  • Vadim M. Loktev Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, 14-b Metrolohichna Str., Kyiv 03680, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.2780170

Ключові слова:

graphene, Dirac spectrum, impurity, spectrum rearrangement.

Анотація

It is shown that in a two-dimensional system with the linear dispersion a resonance is present in the Dirac point vicinity, when the impurity perturbation magnitude exceeds the bandwidth. The corresponding spectrum rearrangement, which follows at a certain critical impurity concentration, results in the square root dependence of the concentration smearing region width on the concentration. If the perturbation magnitude does not exceed the bandwidth, or the critical concentration is not reached, the concentration smearing region width remains exponentially small.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2007-08-10

Як цитувати

(1)
Skrypnyk, Y. V.; Loktev, V. M. Impurity Induced Dirac Point Smearing in Graphene. Fiz. Nizk. Temp. 2007, 33, 1002-1007.

Номер

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають