Аномальный гистерезис в магниторезистивных керамических и пленочных образцах (La0,8Sr0,2)1-xMn1+xO3 (0≤ х ≤ 0,4)

Автор(и)

  • В.Т. Довгий Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины ул. Р. Люксембург, 72, г. Донецк, 83114, Украина
  • А.В. Климов Институт физики ПАН, Al. Lotnikow 32/46, 02-668, Warszawa, Poland
  • В.П. Дьяконов Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины ул. Р. Люксембург, 72, г. Донецк, 83114, Украина
  • В.Я. Сычева Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины ул. Р. Люксембург, 72, г. Донецк, 83114, Украина
  • Н.В. Давыдейко Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины ул. Р. Люксембург, 72, г. Донецк, 83114, Украина
  • В.А. Турченко Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины ул. Р. Люксембург, 72, г. Донецк, 83114, Украина
  • В.К. Прокопенко Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины ул. Р. Люксембург, 72, г. Донецк, 83114, Украина
  • В.Н. Деркаченко Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины ул. Р. Люксембург, 72, г. Донецк, 83114, Украина
  • В.П. Пащенко Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины ул. Р. Люксембург, 72, г. Донецк, 83114, Украина
  • А.И. Линник Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины ул. Р. Люксембург, 72, г. Донецк, 83114, Украина
  • Г. Шимчак Институт физики ПАН, Al. Lotnikow 32/46, 02-668, Warszawa, Poland

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.1542468

Ключові слова:

PACS: 72.15.Gd, 72.60. g, 75.50.-y, 75.60.-d

Анотація

Исследованы кристаллическая структура, намагниченность и магниторезистивный эффект в керамических образцах (La0,8Sr0,2)1-xMn1+xO3, отожженных при 1150 и 1500°С. Показано, что дополнительный отжиг при температуре 1500°С приводит к значительным изменениям намагни ченности и возрастанию магниторезистивного эффекта в 2-3 раза в зависимости от х. Обнаружен "аномальный" магнитный гистерезис на начальных участках кривых намагничивания как в керамических, так и в пленочных образцах, напыленных лазерным методом. Установлено, что величина "аномального" магнитного гистерезиса зависит от состава (х) образцов и температуры их отжига. Предложен механизм возникновения "аномального" гистерезиса, обусловленный наличием и взаимодействием ферромагнитной и антиферромагнитной фаз.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2003-03-06

Як цитувати

(1)
Довгий, В.; Климов, А.; Дьяконов, В.; Сычева, В.; Давыдейко, Н.; Турченко, В.; Прокопенко, В.; Деркаченко, В.; Пащенко, В.; Линник, А.; Шимчак, Г. Аномальный гистерезис в магниторезистивных керамических и пленочных образцах (La0,8Sr0,2)1-xMn1+xO3 (0≤ х ≤ 0,4). Fiz. Nizk. Temp. 2003, 29, 380-386.

Номер

Розділ

Низькотемпературний магнетизм