Спин-решеточная релаксация в ОЦК фазе расслоившихся твердых растворов 3He-4He

Автор(и)

  • Н. П. Михин Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • В. А. Майданов Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • А. В. Полев Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.1476577

Ключові слова:

PACS: 67.80.Jd

Анотація

Методом импульсного ЯМР проведены измерения времени спин-решеточной релаксации в двух образцах твердых растворов 3He-4He с исходным содержанием 0,5 % 3He в 4He и 0,5% 4He в 3He. В результате фазового расслоения в обоих случаях образуются двухфазные кристаллы с одинаковым содержанием гелия в концентрированной ОЦК фазе . Однако в первом образце ОЦК фаза образуется в виде малых включений в ГПУ матрице, а во втором образце ОЦК фаза является матрицей. Установлено, что во втором случае спин-решеточная релаксация осуществляется так же, как в массивном чистом 3He, в то время как в первом случае наблюдается аномальное поведение времени спин-решеточной релаксации при низких температурах. Эксперименты показали, что эта аномалия связана не с возможным влиянием малых примесей 4He, а с малыми размерами включений ОЦК фазы. В этом случае основной вклад в релаксацию, по-видимому, вносят дефекты, образованные на границах ОЦК включений и ГПУ матрицы.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2002-02-26

Як цитувати

(1)
Михин, Н. П.; Майданов, В. А.; Полев, А. В. Спин-решеточная релаксация в ОЦК фазе расслоившихся твердых растворов 3He-4He. Fiz. Nizk. Temp. 2002, 28, 344-348.

Номер

Розділ

Квантові рідини та квантові кристали

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 1 2 3