Температурная зависимость критического тока в высокотемпературных сверхпроводниках с малоугловыми границами раздела кристаллических блоков

Автор(и)

  • Э. А. Пашицкий Институт физики НАН Украины, пр. Науки, 46, г. Киев, Украина, 03022
  • В. И. Вакарюк Институт физики НАН Украины, пр. Науки, 46, г. Киев, Украина, 03022
  • С. М. Рябченко Институт физики НАН Украины, пр. Науки, 46, г. Киев, Украина, 03022
  • Ю. В. Федотов Институт физики НАН Украины, пр. Науки, 46, г. Киев, Украина, 03022

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.1353699

Ключові слова:

PASC: 74.72.Bk, 74.76.Bz, 74.25.Ha

Анотація

Рассмотрена модель ограничения критического тока в достаточно совершенных ВТСП кристаллах и эпитаксиальных пленках с блочной структурой при малых углах разориентации кристаллических блоков q, когда расстояние d между краевыми дислокациями вдоль границ раздела блоков больше, чем длина когерентности x(T). Показано, что в этих условиях прозрачность малоугловых границ раздела для сверхпроводящих носителей тока вблизи критической температуры Tc практически не зависит от q и T. В результате единственным фактором, определяющим температурную зависимость плотности критического тока jc(T), остается ток распаривания j0 (T) µ (1 - T/Tc)3/2. Вблизи Tc, когда x(T) > d, происходит переход от зависимости jcT) ~ (1 - T/Tc)3/2 к jc(T) ~ (1-T/Tc)2. Такое поведение jc(T) хорошо согласуется с результатами проведенных экспериментов по измерению критических токов в тонких эпитаксиальных пленках YBa2Cu3O7-d .

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2001-02-10

Як цитувати

(1)
Пашицкий, Э. А.; Вакарюк, В. И.; Рябченко, С. М.; Федотов, Ю. В. Температурная зависимость критического тока в высокотемпературных сверхпроводниках с малоугловыми границами раздела кристаллических блоков. Fiz. Nizk. Temp. 2001, 27, 131-139.

Номер

Розділ

Надпровідність, зокрема високотемпературна