Нижние критические поля текстурированных высокотемпературных сверхпроводников.

III. Экспериментальное изучение анизотропии полей Hc1 ВТСП YBa2Cu3O7-d

Автор(и)

  • В. А. Финкель Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Украина, 61108, г. Харьков, ул. Академическая, 1
  • В. В. Деревянко Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Украина, 61108, г. Харьков, ул. Академическая, 1

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.593870

Ключові слова:

Анотація

Изучена зависимость критических токов Ic текстурированных образцов ВТСП YBa2Cu3O7-d (T = 77,3 К) от напряженности предварительно приложенного внешнего магнитного поля Hext при различных углах между направлением поля и исследуемым образцом. На основе полученной угловой зависимости Ic(H) с помощью развитой в работе методики определены значения нижних критических полей Hc1 ВТСП YBa2Cu3O7-d в направлении главной оси орторомбической решетки Hc1ab = 89 Э и в перпендикуляром направлении Hc1c = 383 Э; отношение эффективных масс электрона mc/mab=18,5.

Downloads

Опубліковано

2000-02-10

Як цитувати

(1)
В. А. Финкель and В. В. Деревянко,

Нижние критические поля текстурированных высокотемпературных сверхпроводников.

III. Экспериментальное изучение анизотропии полей Hc1 ВТСП YBa2Cu3O7-d, Low Temp. Phys. 26, (2000) [Fiz. Nizk. Temp. 26, 128-134, (2000)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.593870.

Номер

Том 26 № 2 (2000)

Розділ

Надпровідність, зокрема високотемпературна

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 > >>