Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле

Электpонные свойства металлов и сплавов

Анотація

В сильных скрещенных электрическом Е и магнитном Н полях, в режиме генерации фононов, исследовалось напряжение монокристалла Bi в направлении |E´H| (поперечное напряжение E_^). Получена информация об электронной акустоэдс висмута E_e^a, формирующей на вольт-амперных j-E_^ характеристиках участки с отрицательной дифференциальной проводимостью. Акустоэдс измерялась как абсолютная величина разности поперечных напряжений до и после перехода образца в режим генерации фононов. Обнаружено, что зависимость акустоэдс от квантующего магнитного поля немонотонна. Это связывается с осцилляциями в магнитном поле скорости электрон-фононной генерации ¶N_q/¶t, т.е. с осцилляциями частоты фонон-электронных столкновений t_pl^-1