Взаимодействие неоднородных упругих волн с двумерными электронами в гетероструктурах AlGaAs-GaAs-AlGaAs

Автор(и)

  • Д. В. Филь Институт монокристаллов НАН Украины, Украина, 310001, г. Харьков, пр. Ленина, 60

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.593768

Ключові слова:

Анотація

Рассмотрено взаимодействие двухслойной электронной системы в гетероструктуре AlGaAs-GaAs-AlGaAs с неоднородными упругими модами, локализованными в слое GaAs. Для волн с волновым вектором, направленным вдоль оси [110], и вектором поляризации, лежащим в плоскости (110), вычислена зависимость константы взаимодействия от соотношения между толщиной слоя GaAs и длиной волны в системе с границами раздела, параллельными плоскости (001). Показано, что константа взаимодействия достигает максимума на длине волны порядка толщины слоя GaAs. Найдена перенормировка скорости упругих мод в случае, когда электронная система находится в режиме дробного квантового эффекта Холла. Показано, что для определенных мод имеет место качественное изменение зависимости перенормировки скорости от волнового вектора при переходе электронной системы в состояние, отвечающее волновой функции Гальперина.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

1999-06-10

Як цитувати

(1)
Филь, Д. В. Взаимодействие неоднородных упругих волн с двумерными электронами в гетероструктурах AlGaAs-GaAs-AlGaAs. Fiz. Nyzk. Temp. 1999, 25, 625-632.

Номер

Розділ

Низькоpозмірні та невпорядковані системи

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають