О механизме повышения критической температуры в купратных высокотемпературных сверхпроводниках под давлением

Автор(и)

  • Э. А. Пашицкий Институт физики НАН Украины, Украина, 252650, г. Киев, пр. Науки, 46

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.593514

Ключові слова:

Анотація

Обсуждаются результаты экспериментов C. Y. Han et al. (ФНТ 24, 305 (1998)) по влиянию квазигидростатического давления P на критическую температуру сверхпроводящего перехода Tc поликристаллических образцов купратного соединения Tl2Ba2Ca2Cu3Ox(2223) с исходным значением Tc = 129 К и максимальным значением Tc = 255,4 К при P = 4,3 ГПа. На основе анализа немонотонной зависимости Tc от P высказывается предположение о существовании двух механизмов воздействия давления на Tc. Первый механизм в области P < 3 ГПа связан с анизотропной деформацией кристаллической решетки отдельных зерен (кристаллитов) в плоскости купратных слоев CuO2 и с изменением характера допирования слоев кислородом, а второй механизм в области P < 3 ГПа обусловлен всесторонним сжатием ионной решетки и увеличением объемной концентрации носителей тока (дырок) за счет условия электронейтральности.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

1998-12-10

Як цитувати

(1)
Пашицкий, Э. А. О механизме повышения критической температуры в купратных высокотемпературных сверхпроводниках под давлением. Fiz. Nizk. Temp. 1998, 24, 1211-1214.

Номер

Розділ

Листи до редакції