Фотоэлектрическое усиление в туннельной структуре вырожденный полупроводник - ВТСП - изоаятбр - металл
Ключові слова:
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
![](http://fnt.ilt.kharkov.ua/public/journals/1/submission_17_128_en_US.png)
Downloads
Опубліковано
1991-01-10
Як цитувати
(1)
АЛФЕЕВ, В. Я.; МЕНЬШОВ, В. Н.; НЕУСТРОЕВ, Л. Н. Фотоэлектрическое усиление в туннельной структуре вырожденный полупроводник - ВТСП - изоаятбр - металл. Fiz. Nizk. Temp. 1991, 17, 128-131.
Номер
Розділ
Статті