Фотоэлектрическое усиление в туннельной структуре вырожденный полупроводник - ВТСП - изоаятбр - металл

Автор(и)

  • В. Я. АЛФЕЕВ
  • В. Н. МЕНЬШОВ
  • Л. Н. НЕУСТРОЕВ

Ключові слова:

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

1991-01-10

Як цитувати

(1)
АЛФЕЕВ, В. Я.; МЕНЬШОВ, В. Н.; НЕУСТРОЕВ, Л. Н. Фотоэлектрическое усиление в туннельной структуре вырожденный полупроводник - ВТСП - изоаятбр - металл. Fiz. Nizk. Temp. 1991, 17, 128-131.

Номер

Розділ

Статті