К теории состояния насыщения в полупроводнике с большой частотой рекомбинации носителей
Ключові слова:
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
![](http://fnt.ilt.kharkov.ua/public/journals/1/submission_6_599_en_US.png)
Downloads
Опубліковано
1980-05-10
Як цитувати
(1)
Глазман, Л. И.; Цукерник, В. М. К теории состояния насыщения в полупроводнике с большой частотой рекомбинации носителей. Fiz. Nizk. Temp. 1980, 6, 599-603.
Номер
Розділ
Статті