Growth and crystal structure of CdTe1–xSex (x ≥ 0.75) thin films prepared by the method of high-frequency magnetron sputtering

Автор(и)

  • A. I. Kashuba Department of General Physics, Lviv Polytechnic National University, Lviv 79013, Ukraine
  • B. Andriyevsky Faculty of Electronics and Computer Sciences, Koszalin University of Technology, Koszalin 75453, Poland

DOI:

https://doi.org/10.1063/10.0023888

Ключові слова:

тонка плівка, твердий розчин заміщення, кристалічна структура, оптичне пропускання, заборонена зона

Анотація

Тонкі плівки CdTe1–xSex (x = 0.75 та 0.95) були осаджені на кварцові підкладки методом високочастотного магнетрон-ного розпилення. Елементний аналіз та уточнення кристалічної структури досліджено за результатами рентгенфлуоресцентного аналізу та рентгенівської дифракції. Тонкі плівки CdTe1–xSex кристалізуються в гексагональній структурі [тип структури — ZnO, просторова група P63mc (№ 186)]. Параметри елементарної комірки зменшуються зі збільшенням вмісту Se в тонких плівках CdTe1–xSex. Значення оптичної забороненої зони для CdTe0.25Se0.75 та CdTe0.05Se0.95 оцінювали за допомогою коор-динат Тауца та положення максимуму першої похідної спек-трів пропускання dT/dλ.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2023-11-29

Як цитувати

(1)
Kashuba, A. I. .; Andriyevsky, B. Growth and Crystal Structure of CdTe1–xSex (x ≥ 0.75) Thin Films Prepared by the Method of High-Frequency Magnetron Sputtering. Fiz. Nizk. Temp. 2023, 50, 32–36.

Номер

Том 50 № 1 (2024)

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають