Antiferromagnetic spintronics: from metals to functional oxides

Автор(и)

  • Maxim Tsoi Department of Physics, University of Texas at Austin, Austin TX 78712, USA

DOI:

https://doi.org/10.1063/10.0019689

Ключові слова:

transport properties, antiferromagnetic spintronics, functional oxides

Анотація

Антиферомагнітна спінтроніка використовує унікальні властивості антиферомагнітних матеріалів для створення нових та вдосконалених функціональних можливостей у майбутніх застосуваннях спінтроніки. Коротко розглянуто експериментальні зусилля для пояснення досліджених в нашій групі властивостей спінового транспорту в антиферомагнітних матеріалах. Дослідження спочатку були зосереджені на металевих антиферомагнетиках, де було виявлено перше свідчення обертання антиферомагнітного моменту проходженням спін-поляризованого струму. Через відсутність металевих антиферомагнетиків, було розглянуто антиферомагнітні ізолятори Moтта, де виявлено безліч транспортних явищ. Наприклад, спостерігався дуже великий анізотропний магнітоопір, який може бути використаний для виявлення магнітного стану антиферомагнетика. Також спостерігалось оборотне резистивне перемикання і надано однозначні докази того, що резистивне перемикання пов’язане зі структурними спотвореннями, керованими електричним полем. Отримані висновки вказують на можливість електрично-контрольованих функціональних оксидів для різних технологій пам’яті.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2023-05-29

Як цитувати

(1)
Tsoi, M. . Antiferromagnetic Spintronics: From Metals to Functional Oxides. Fiz. Nizk. Temp. 2023, 49, 862–870.

Номер

Розділ

Оглядова стаття

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають