NAIDYUK, Y. G.; GLOOS, K.; TAKABATAKE, T. Break-junction experiments on the Kondo semiconductor CeNiSn: tunnelling versus direc: Электpонные свойства металлов и сплавов. ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, Харків, Україна, v. 26, n. 7, p. 687–693, 2000. DOI: 10.1063/1.1306407. Disponível em: https://fnt.ilt.kharkov.ua/index.php/fnt/article/view/f26-0687e. Acesso em: 21 трав. 2024.