ХЕЙФЕЦ, О.; БАБУШКИН, А.; ШАБАШОВА, О.; МЕЛЬНИКОВА, Н. Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS_3xSe_3(1-x) (0,1 ≤ x ≤ 0,9): Новые электронные материалы и системы. ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, Харків, Україна, v. 33, n. 2-3, p. 374–377, 2007. DOI: 10.1063/1.2719968. Disponível em: https://fnt.ilt.kharkov.ua/index.php/fnt/article/view/f33-0374r. Acesso em: 21 лис. 2024.