ARAPOV, Y.; HARUS, G.; KARSKANOV, I.; NEVEROV, V.; SHELUSHININA, N.; YAKUNIN, M.; KUZNETSOV, O.; PONOMARENKO, L.; VISSER, A. de. Quantum Hall effect in p-Ge/Ge_1-xSi_x heterostructures with low hole mobility: Электронные свойства низкоразмерных систем. ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, Харків, Україна, v. 33, n. 2-3, p. 207–210, 2007. DOI: 10.1063/1.2409651. Disponível em: https://fnt.ilt.kharkov.ua/index.php/fnt/article/view/f33-0207e. Acesso em: 21 лис. 2024.