Хейфец, О.; Бабушкин, А.; Шабашова, О.; Мельникова, Н. Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS_3xSe_3(1-x) (0,1 ≤ x ≤ 0,9): Новые электронные материалы и системы. Fiz. Nizk. Temp. 2007, 33, 374-377.