Мустафаева, С., Асадов, М. і Исмайлов, А. 2010. Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe. ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР. 36, 7 (Трав 2010), 805–808. DOI:https://doi.org/10.1063/1.3479690.