Хейфец, О., Бабушкин, А., Шабашова, О. і Мельникова, Н. 2007. Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS_3xSe_3(1-x) (0,1 ≤ x ≤ 0,9): Новые электронные материалы и системы. ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР. 33, 2-3 (Лют 2007), 374–377. DOI:https://doi.org/10.1063/1.2719968.