[1]
Якимчук, А., Заикина, Ю., Решетова, Л., Рябова, Л., Хохлов, Д. і Шевельков, А. 2007. Импеданс полупроводниковых клатратов Sn24P19,3BrxI8-x: Новые электронные материалы и системы. ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР. 33, 2-3 (Лют 2007), 369–373. DOI:https://doi.org/10.1063/1.2719967.