[1]
Андриевский, В.В., Беркутов, И.Б., Комник, Ю.Ф., Миронов, О.А. і Волл, Т.Е. 2000. Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах. ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР. 26, 12 (Груд 2000), 1202–1206. DOI:https://doi.org/10.1063/1.1334440.