[1]
Naidyuk, Y.G., Gloos, K. і Takabatake, T. 2000. Break-junction experiments on the Kondo semiconductor CeNiSn: tunnelling versus direc: Электpонные свойства металлов и сплавов. ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР. 26, 7 (Лип 2000), 687–693. DOI:https://doi.org/10.1063/1.1306407.