Релаксация и эффекты градиента потенциала в висмутовом микроконтакте: Электpонные свойства металлов и сплавов - Андриевский, В. В.; Комник, Ю. Ф.; Рожок, С. В. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 1997)
Показано, что на положение первой линии поперечной электронной фокусировки в висмуте на шкале магнитных полей сильное влияние оказывает релаксация электронов в эмиттерном микроконтакте, в результате чего энергия электронов, покинувших микроконтактную область, меньше, чем энергия eV, задаваемая приложенным к микроконтакту напряжением. При протекании сильных токов на положение линии электpонной фокусиpовки оказывает влияние также собственное магнитное поле тока, причем дополнительное ее смещение под влиянием этого фактора нелинейно зависит от V, что обусловлено сильной нелинейностью вольт-амперных характеристик висмутового микроконтакта. Показано, что эта нелинейность может быть объяснена ростом концентрации носителей заряда в области микроконтакта под влиянием градиента распределения потенциала и процесса межзонного туннелирования. С помощью этих механизмов достигается точное описание нелинейности вольт-амперных характеристик висмутовых микроконтактов.