@article{Комник_Беркутов_Андриевский_2005, place={Харків, Україна}, title={Спин-орбитальное взаимодействие в пленках висмута малой толщины: Электpонные свойства металлов и сплавов}, volume={31}, url={https://fnt.ilt.kharkov.ua/index.php/fnt/article/view/f31-0429r}, DOI={10.1063/1.1884436}, abstractNote={Проанализированы магнитополевые зависимости сопротивления тонких пленок висмута толщиной 100-700 Å при низких температурах в рамках представлений о квантовых поправках к проводимости при слабой локализации электронов. Показано, что время спин-орбитального рассеяния tso существенно меньше времени фазовой релаксации электронов tj (случай сильного спин-орбитального взаимодействия). При этом обнаружена тенденция роста tso при увеличении толщины пленки, что свидетельствует о доминирующей роли поверхностного рассеяния электронов для спин-орбитальных процессов. По-видимому, при поверхностном рассеянии сильная спиновая релаксация связана с градиентом внутреннего кристаллического потенциала вблизи поверхности кристалла, приводящим к снятию вырождения спина и появлению спиновой щели (механизм Рашбы).}, number={3-4}, journal={ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР}, author={Комник, Ю.Ф. and Беркутов, И.Б. and Андриевский, В.В.}, year={2005}, month={Лют}, pages={429–435} }