@article{Андриевский_Беркутов_Комник_Миронов_Волл_2000, place={Харків, Україна}, title={Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах}, volume={26}, url={https://fnt.ilt.kharkov.ua/index.php/fnt/article/view/f26-1202r}, DOI={10.1063/1.1334440}, abstractNote={В гетеропереходе Si/Si0,64 Ge0,36 с дырочным типом проводимости реализован эффект электронного перегрева. Из анализа затухания амплитуд осцилляций Шубникова-де Гааза пpи изменении температуры и приложенного электрического поля найдена температурная зависимость времени электрон-фононной релаксации: teph=10-8T-2 c.}, number={12}, journal={ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР}, author={Андриевский, ВВ. В. and Беркутов, И. Б. and Комник, Ю. Ф. and Миронов, О. А. and Волл, Т. Е.}, year={2000}, month={Груд}, pages={1202–1206} }