Физика Низких Температур: Том 47, Выпуск 11 (Ноябрь 2021), c. 994-1002    ( к оглавлению , назад )

---

Abstract

The vibrational and electronic properties of the Pb-doped dichalcogenide Pb_xTaSe₂ (x = 0, 0.25, 0.33, 0.5, 0.75, and 1) have been investigated using Raman scattering experiments. A marked variation of the main vibrational modes with Pb concentration x is observed. The concentration dependence of the vibrational modes resembles the dependence of the vibrational modes in TaSe₂ on the number of crystallographic layers along the c-axis direction. The temperature and polarization dependences of Raman spectra of Pb_xTaSe₂ revealedadditional broad modes in the low-frequency regime, which are discussed in the context of the remnant chargedensity wave, induced disorder, or PbSe phase formed in the interface of Pb and TaSe₂ layers.

Анотація

Обговорюються результати раманівських досліджень коливальних та електронних властивостей легованого Рb дихаль-когеніду Pb_xTaSe₂ (x = 0, 0,25, 0,33, 0,5, 0,75 та 1). Виявлено помітну зміну основних коливальних раманівських мод в залежності від концентрації Pb. Концентраційна залежність коливальних мод демонструє схожість з поведінкою коливальних мод в раманівських спектрах TaSe₂ в залежності від кількості кристалографічних шарів уздовж напрямку осі c. Проведений аналіз залежності раманівських спектрів Pb_xTaSe₂ від температури та поляризації виявив додаткові широкі моди в низькочастотному діапазоні, які можуть бути обумовлені наявністю залишкової хвилі густини заряду, індукованого безладу або PbSe фази, що утворюється на межі поділу шарів Pb та TaSe₂.

Key words: Raman spectroscopy, topological materials, transition metal dichalcogenides.

---