Физика Низких Температур: Том 47, Выпуск 11 (Ноябрь 2021), c. 994-1002    ( к оглавлению , назад )

Doping from CDW to topological superconductivity: The role of defects on phonon scattering in the non-centrosymmetric PbxTaSe2

A.Glamazda

B.Verkin Institute for Low Temperature Physics and Engineering of the National Academy of Sciences of UkraineKharkiv 61103, Ukraine
E-mail: glamazda@ilt.kharkov.ua

A.Sharafeev, R. Bohle, and P. Lemmens

Institute for Condensed Matter Physics, TU Braunschweig, Braunschweig D-38106, Germany
Laboratory for Emerging Nanometrology, TU Braunschweig, Braunschweig D-38106, Germany

K.-Y. Choi

Department of Physics, Sungkyunkwan University, Suwon, Korea

F.C. Chou and R. Sankar

Institute of Physics, Academia Sinica, Nankang, Taipei 11529, R.O.C. Taiwan

Received August 8, 2021, published online September 24, 2021

Abstract

The vibrational and electronic properties of the Pb-doped dichalcogenide PbxTaSe2 (x = 0, 0.25, 0.33, 0.5, 0.75, and 1) have been investigated using Raman scattering experiments. A marked variation of the main vibrational modes with Pb concentration x is observed. The concentration dependence of the vibrational modes resembles the dependence of the vibrational modes in TaSe2 on the number of crystallographic layers along the c-axis direction. The temperature and polarization dependences of Raman spectra of PbxTaSe2 revealedadditional broad modes in the low-frequency regime, which are discussed in the context of the remnant chargedensity wave, induced disorder, or PbSe phase formed in the interface of Pb and TaSe2 layers.

Анотація

Обговорюються результати раманівських досліджень коливальних та електронних властивостей легованого Рb дихаль-когеніду PbxTaSe2 (x = 0, 0,25, 0,33, 0,5, 0,75 та 1). Виявлено помітну зміну основних коливальних раманівських мод в залежності від концентрації Pb. Концентраційна залежність коливальних мод демонструє схожість з поведінкою коливальних мод в раманівських спектрах TaSe2 в залежності від кількості кристалографічних шарів уздовж напрямку осі c. Проведений аналіз залежності раманівських спектрів PbxTaSe2 від температури та поляризації виявив додаткові широкі моди в низькочастотному діапазоні, які можуть бути обумовлені наявністю залишкової хвилі густини заряду, індукованого безладу або PbSe фази, що утворюється на межі поділу шарів Pb та TaSe2.

Key words: Raman spectroscopy, topological materials, transition metal dichalcogenides.