Физика Низких Температур: Том 47, Выпуск 7 (Июль 2021), c. 654-659    ( к оглавлению , назад )

Magnetic susceptibility of crystals with crossingof their band-contact lines

G. P. Mikitik and Yu. V. Sharlai

B. Verkin Institute for Low Temperature Physics and Engineering of the National Academy of Sciences of UkraineKharkiv 61103, Ukraine
E-mail: mikitik@ilt.kharkov.ua

Received March 1, 2021, published online May 26, 2021

Abstract

The orbital magnetic susceptibility produced by electron states near a crossing point of two band-contact lines in a crystal is study theoretically. It is shown that this susceptibility can have an unusual dependence on the Fermi level and can change noticeably with the temperature when the Fermi level is in the vicinity of the crossing point. These features of the magnetic susceptibility can be useful in detecting the crossing points in crystal. The obtained results explain the well-known temperature dependence of the magnetic susceptibility of V3Si.

Анотація

Теоретично досліджено орбітальну магнітну сприйнятливість, пов’язану з електронними станами коло точки перетинудвох ліній контакту зон в кристалі. Показано, що ця сприйнятливість може мати незвичну залежність від рівня Фермі, таможе значно змінюватисяз температурою, якщо рівень Фермі знаходиться поблизу точки перетину. Ці особливості магнітної сприйнятливості можуть бути кориснимипри детектуванні точок перетину в кристалі. Отримані результати пояснюють відомі температурні залежності магнітної сприйнятливості у V3Si.

Key words: magnetic susceptibility, electron topological transition, crossing of nodal lines, V3Si.