Temperature gradient and transport of heat and charge in a semiconductor structure (Review Article)
Oleg Yu. Titov
Instituto Mexicano del Petróleo, Eje Central Lázaro Cárdenas 152, México 07730, CDMX, México
Yuri G. Gurevich
Departamento de Física, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN Av. IPN 2508, México 07360, CDMX, México
E-mail: gurevich@fis.cinvestav.mx
Received January 06, 2021, published online May 26, 2021
Abstract
A detailed analysis of the influence of thermal nonequilibrium on transport in semiconductors was carried out. It is shown that the transport of heat and electricity in bipolar semiconductors are interdependent and self-consistent. In a general case, the distribution of the temperature in homogeneous semiconductors cannot be con-stant or a linear function with respect to the coordinate even in a linear approximation. The roles of nonequilibrium charge carriers and the recombination in the heat transport are established.
Анотація
Проведено детальний аналіз впливу теплової нерівноваги на транспорт у напівпровідниках. Показано, що транспорт тепла та заряду в біполярних напівпровідниках взаємозалежні та самоузгоджені. У загальному випадку розподіл температури в однорідних напівпровідниках не може бути постійним, або лінійною функцією щодо координати навіть у лінійному наближенні. Встановлено ролі нерівноважних носіїв заряду та рекомбінації в транспорті тепла.
Key words: thermal nonequilibrium, recombination, quasineutrality, transport phenomena.
