Low Temperature Physics: 47, 488 (2021); https://doi.org/10.1063/10.0004972
Физика Низких Температур: Том 47, Выпуск 6 (Июнь 2021), c. 525-530    ( к оглавлению , назад )

Quantum magnetoresistance in Si whiskers

A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, and N. Liakh-Kaguy

Department of Semiconductor Electronics, Lviv Polytechnic National University, Lviv 79013, Ukraine
E-mail: druzh@polynet.lviv.ua

Received Mach 15, 2021, published online April 26, 2021

Abstract

It was studied the electrical magnetoresistance of nickel- and boron-doped filamentary silicon crystals in which a metal-insulator transition is observed. A giant magnetoresistance reaches up to 280 % in the Si whiskers with doping concentration of boron р300K = 5·1018 cm–3 in the magnetic fields with induction up to 14 T at temperature 4.2 K. Peculiarities of magnetoresistance at low temperatures were shown to be caused by “core-shell” structure of crystals. A giant magnetoresistance nature was considered within quantum magnetoresistance model. The analysis was performed to determine the critical field of transition from classical parabolic magnetoresistance to quantum magnetoresistance, realized in the near-surface region of the crystal. The silicon whiskers were used for design of magnetic field sensors.

Анотація

Досліджено електричний магнітоопір легованих нікелем та бором ниткоподібних кристалів кремнію, в яких спостерігається перехід метал-ізолятор. Гігантський магнітоопір досягає 280 % у ниткоподібних кристалах Si з концентрацією легуючої домішки бору р300K = 5·1018–3 у магнітних полях з індукцією до 14 Тл при температурі 4,2 К. Показано, що особливості магнітоопору при низьких температурах обумовлено структурою кристалів «серцевина–оболонка». Природу гігантського магнітоопору розглянуто в рамках квантової моделі магнітоопору. Аналіз проведено для визначення критичного поля переходу від класичного параболічного магнітоопору до квантового магнітоопору, який реалізований у приповерхневій області кристала. Ниткоподібні кристали кремнію використовували для проєктування датчиків магнітного поля.

Key words: silicon, whiskers, hopping conductivity, weak localization, spin-orbit interaction.