Low Temperature Physics: 46, 400 (2020); https://doi.org/10.1063/10.0000873
Физика Низких Температур: Том 46, Выпуск 4 (Апрель 2020), c. 481-496    ( к оглавлению , назад )

Break-junction tunneling spectra of Bi2212 superconducting ceramics: Influence of inhomogeneous d-wave-Cooper-pairing and charge-density-wave order parameters

Toshikazu Ekino1, Alexander M. Gabovich2, Mai Suan Li3, Henryk Szymczak3, and Alexander I. Voitenko2

1Graduate School of Integrated Arts and Sciences, Hiroshima University, Higashi-Hiroshima 739-8521, Japan
E-mail: ekino@hiroshima-u.ac.jp

2Institute of Physics, 46 Nauka Ave., Kyiv 03680, Ukraine
E-mail: gabovich@iop.kiev.ua
voitenko@iop.kiev.ua

3Institute of Physics, 32/46 Al. Lotników, Warsaw PL-02-668, Poland
E-mail: masli@ifpan.edu.pl
szymh@ifpan.edu.pl

Received November 25, 2019, published online February 28, 2020

Анотація

Проведено вимірювання тунельних вольт-амперних характеристик (ВАХ) розломних контактів, виготовлених з кристалів Bi2Sr2CaCu2O8+δ кераміки. Показано, що отримані ВАХ мають V-подібну внутрішню щілинну область подібну до тих, які характерні для ВАХ тунельних переходів між d-хвильовими надпровідниками. Отримані ВАХ мають різні форми для різних переходів, але всі вони виявляють розмиті структури типу горбок-ямка поза межами внутрішньої щілинної області. Тунельний струм в ab площині розломних контактів розраховувався в моделі неоднорідного d-хвильового надпровідника з частковою діелектризацією поверхні Фермі хвилями зарядової густини (ХЗГ). Проведено усереднення тунельного струму за статистичними розподілами надпровідного та ХЗГ параметрів порядку. Теоретичні результати якісно відтворюють поведінку експериментальних кривих. Зроблено висновок, що спрямованість тунелювання та статистичні розподіли обох параметрів порядку є вирішальними факторами, відповідальними за спостережувані форми ВАХ для розломних контактів, виготовлених з високотемпературних оксидів.

Ключові слова: надпровідність, хвилі зарядової густини, електронна неоднорідність, тунелювання в розломних контактах, високотемпературні оксиди.