Физика Низких Температур: Том 48, Выпуск 2 (Февраль 2022), c. 181-184    ( к оглавлению , назад )

Large area CdxHg1–xTe photodiode with picosecond response time τRC

N. J. Ismayilov and A. A. Rajabli

The Institute of Physics of the National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku Az-1143, Azerbaijan
E-mail: ismailovnamik@yahoo.com

Received July 16, 2021, revised August 27, 2021, published online December 24, 2021

Abstract

The design and manufacturing technology of high -quality CdxHg1–xTe n+–n–p–p+-type mesaphotodiodes ∅ 300 μm for the spectral range of 3–5 μm are presented. The features of the design and technology, as well as the main characteristics of the manufactured photodiodes are presented. It is shown that the use of a semitransparent nickel layer 5 nm thick deposited on the surface of the n+ layer makes it possible to reduce the series resistance Rser to 1–2 Ohm, and the response time to 10–11 s.

Анотація

Наведено конструкцію та технологію виготовлення швидкодійних високоякісних мезафотодіодів Ø 300 мкм зі сполук CdxHg1–xTe для спектрального діапазону 3–5 мкм. Викладено особливості конструкції та технології, а також основні характеристики виготовлених фотодіодів. Показано, що використання напівпрозорого шару нікелю, товщиною 5 нм, осадженого на поверхню n+-шару, дозволяє зменшити послідовний опір Rser до 1–2 Ом і час фотовідповіді τ до 10–11с.

Key words: CdxHg1–xTe, photodiode, converted layer, response time.