Физика Низких Температур: Том 48, Выпуск 1 (Январь 2022), c. 70-78    ( к оглавлению , назад )

Transport spectroscopy in degenerate quantum dot

E. A. Ponezha

Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy for Sciences of Ukraine Kyiv 03143, Ukraine
E-mail: ponezha@bitp.kiev.ua

Received April 19, 2021, revised June 24, 2021, published online November 25, 2021

Abstract

Using the microscopic model proposed by us earlier, the tunnel current and differential conductivity through a degenerate quantum dot weakly coupled to the external electrodes, depending on the bias and gate voltages, were calculated. The behavior of this system is analyzed at two types of electron-electron interaction in the quantum dot: repulsive and attractive. It is shown that in the case of the attractive interaction, the dependence of electron levels occupation on voltage becomes nonlinear, and the transport properties of the system change dramatically. The method of transport spectroscopy made it possible to determine through which of the levels (both ground and excited) tunneling takes place depending on the applied voltages and to estimate the current through these levels, as well as the orientation of electron spins on them. The results can be used to understand and predict the properties of a quantum dot as a potential element for new generations of nanodevices and quantum computers.

Анотація

З використанням мікроскопічної моделі, запропонованої нами раніше, розраховано тунельний струм та диференціальну провідність через квантову точку з виродженими рівнями, слабо пов’язану з зовнішніми електродами в залежності від напруги на електродах і затворі. Проаналізовано поведінку цієї системи при двох типах міжелектронної взаємодії у квантовій точці: відштовхувальної та притягальної. Показано, що у випадку притягальної взаємодії залежність заповнення рівнів від напруги стає нелінійною, і транспортні властивості системи суттєво змінюються. Метод транспортної спектроскопії уможливив визначити, через які рівні (як основні, так і збуджені) йде тунелювання у цьому випадку, та оцінити струм крізь ці рівні, а також орієнтацію спінів електронів на цих рівнях. Результати можуть бути використані для розуміння та прогнозування властивостей квантової точки як потенційного елемента для нових поколінь нанопристроїв та квантових комп’ютерів.

Key words: resonant tunneling, quantum dot, degenerate levels, electron-electron interaction, stability diagrams, transport spectroscopy.