Low Temperature Physics: 47, 1065 (2021); https://doi.org/10.1063/10.0007082
Физика Низких Температур: Том 47, Выпуск 12 (Декабрь 2021), c. 1165-1172    ( к оглавлению , назад )

Biintercalate layered heterostructure: synthesis conditions and physical properties

F. O. Ivashchyshyn1,3, V. M. Maksymych1, T. D. Krushelnytska1, O. V. Rybak1, B. O. Seredyuk2, and N. K. Tovstyuk1

1Institute of Applied Mathematics and Fundamental Sciences, Lviv Polytechnic National University Lviv 79013, Ukraine

2Hetman Petro Sahaidachnyi National Army Academy, Lviv 79026, Ukraine

3Faculty of Electrical Engineering, Czestochowa University of Technology, Częstochowa 42-200, Poland
E-mail: nataliia.k.tovstiuk@lpnu.ua

Received June 29, 2021, published online October 25, 2021

Abstract

The biintercalation of the layered GaSe semiconductor is carried out by ferroelectric and ferromagnetic guest components. Due to the separation of guest components, the GaSe < NaNO2+FeCl3 > nanohybrid has a spatial-scale hybridity, which is due to the alternation of nanoscale regions of one phase with meso- or microdimensions of another. The results of electrical conductivity studies by impedance spectroscopy indicate a 250-fold increase after biintercalation of the GaSe single crystal, due to delocalized current carriers. Confirmation of a significant change in the impurity energy spectrum after biintercalation was obtained by the method of thermally stimulated discharge — GaSe nanohybrid < NaNO2+FeCl3 > is characterized by a quasi-continuous spectrum in the entire temperature range of measurements and relaxation of the heterocharge. The GaSe < NaNO2+FeCl3 > nano-hybrid is characterized by a high dielectric constant while a tangent of the dielectric loss angle is less than 1 in the high-frequency region of the spectrum. That opens the prospect of its use for the manufacture of high-quality radio-frequency capacitors. Changes in the impurity energy spectrum are investigated for low temperatures in the virtual crystal model, taking into account the Fivazov dispersion law both for the conductivity band and for the two impurity bands. The appearance of an additional gap in the spectrum of impurity states is established and its shift is investigated depending on the concentration of intercalants of different nature — intercalant-acceptor type and donor.

Анотація

Реалізовано біінтеркаляцію шаруватого напівпровідника GaSe сегнетоелектричним та феромагнітним гостьовими компонентами. За рахунок ешелонування гостьових компонентів наногібрид GaSe < NaNO2+FeCl3 > володіє просторово-масштабною гібридністю, яка зумовлена чергуванням нанорозмірних областей однієї фази з мезо- чи мікророзмірними іншої. Результати досліджень електропровідності методом імпедансної спектроскопії свідчaть про 250-кратне її зростання після біінтеркаляції монокристалу GaSe, що зумовлено делокалізованими носіями струму. Підтвердження суттєвої зміни домішкового енергетичного спектру після біінтеркаляції отримано методом термостимульованого розряду — наногібрид GaSe < NaNO2+FeCl3 > характеризується квазінеперер- вним спектром у всій температурній області вимірювань та релаксацією гетерозаряду. Наногібрид GaSe < NaNO2+FeCl3 > характеризується високим значенням діелектричної проникності при тангенсі кута діелектричних втрат меншому за 1 у високочастотній області спектру, що відкриває перспективу його використання для виготовлення високодобротних радіочастотних конденсаторів. Зміни домішкового енергетичного спектру досліджуються у випадку низьких температур в моделі віртуального кристалу з врахуванням фівазівського закону дисперсії як для зони провідності, так і для двох домішкових зон. Встановлена поява додаткової щілини в спектрі домішкових станів та досліджується її зміна залежно від концентрації різних за природою інтеркалянтів — акцепторного типу та донорного.

Key words: biintercalation, layered crystal, nanoscale, nanohybrid, virtual model.