Low Temperature Physics: 46, 639 (2020); https://doi.org/10.1063/10.0001249
Физика Низких Температур: Том 46, Выпуск 6 (Июнь 2020), c. 762-766    ( к оглавлению , назад )

Влияние облучения высокоэнергетическими электронами на сверхпроводящий переход и анизотропию электросопротивления монокристаллов YВа2Сu3О7–δ

Г.Я. Хаджай, А.В. Самойлов, Р.В. Вовк

Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61022, Украина
E-mail: Ruslan.V.Vovk@univer.kharkov.ua

Статья поступила в редакцию 14 марта 2019 г., после переработки 11 ноября 2019 г., опубликована онлайн 24 апреля 2020 г.

Анотація

Виміряно температурні залежності поздовжньої та поперечної провідності монокристалів YВа2Сu3О7–δ, які опромінено високоенергетичними електронами. Виявлено, що, на відміну від неопромінених монокристалів YВа2Сu3О7–δ, абсолютна величина анізотропії нормального електроопору ρсab значно зменшується при збільшенні кількості структур-них дефектів в об’ємі експериментального зразка. При цьому залежність ρсab(Т) добре описується як за допомогою універсального «закону 1/2», так і звичайним експоненційним виразом для термоактивованої провідності.

Ключові слова: монокристали YВа2Сu3О7–δ, анізотропія провідності, опромінення, термоактивована провідність.